Какво е IGBT транзистор

Успоредно с изследване на свойствата на полупроводници и подобрение се наблюдава технология устройство производство него. Постепенно, с все повече и повече елементи, с добра производителност. Първият IGBT-транзистора се появява през 1985 г. и съчетава уникалните свойства на биполярни и полеви структури. Както се оказа, тези две добре познат по това време, като например полупроводникови прибори могат доста "се разбираме", с. Те също така формира структура, която се превърна в иновативни и постепенно придоби огромна популярност сред разработчиците на електронните схеми. Самото съкращение IGBT (Изолирани Gate транзистори) говори за създаване на хибридни схеми на базата на биполярни и полеви транзистори. По този начин способността за обработка на големи токове в захранващите вериги на комбинирана структура с високо входно съпротивление друг.

Модерен IGBT транзистор е различен от предшественика си. Фактът, че технологията на тяхното производство постепенно се подобрява. От първия елемент с такава структура на основните му параметри са се променили към по-добро:

• 
  Превключването на напрежението се увеличава от 1000V до 4500V. Възможно е да се използват модули, когато се работи в големи вериги напрежение. Дискретни елементи и модули са по-надеждни в експлоатация с индуктивността в електрическата мрежа и по-сигурни срещу импулс шум.
• Ток на включване на отделни елементи се увеличи до 600А в дискретна и до 1800A на модулен дизайн. Това позволи на комутационни вериги с голяма мощност и да използва IGBT транзистор да се работи с машини, нагреватели, различни инсталации за промишлена употреба и т.н.
• Forward спад на напрежението в отворено състояние е спаднала до 1V. Това намалява радиатор област и в същото време се намали рискът от повреда от топлинна повреда.
  
• Честотата на превключване в съвременните устройства достига 75 Hz, което позволява използването им в иновативни схеми за контрол на диск. По-специално, те са били успешно използвани в честотни преобразуватели. Такива устройства са оборудвани с PWM контролер, който работи в "връзка" с модула, където основният елемент - IGBT-транзистора. Конвертори на честоти постепенно заместват традиционното електрическо управление на веригата.
• 
  Производителността на устройството е също така значително увеличен. Съвременните IGBT транзистори са ди / DT = 200mks. Това се отнася до времето, необходимо за включване / изключване. В сравнение с първите образци на скоростта е увеличил пет пъти. Увеличаването на този параметър се отразява възможно включване честота, което е важно, когато се работи с устройства, които прилагат принципа на контрол на PWM.

Също така подобрява и електронните схеми, която контролира IGBT-транзистор. Основните изисквания, които се прилагат за тях - това е да се гарантира безопасната и надеждна превключващо устройство. Те трябва да се вземат под внимание всички слабата страна на транзистора, по-специално, неговата "страх от" скока и статично електричество.